特許

J-GLOBAL ID：200903057332408752

バルク多結晶材料の製造方法

発明者： 宇佐美 徳隆 ,  藤原 航三 ,  中嶋 一雄
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (4件)： 重信 和男 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  中野 佳直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-227131
公開番号（公開出願番号）：特開2008-050194
出願日： 2006年08月23日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】優れた電気的性質を有する粒界を有し(品質が単結晶なみ)、かつ強度が、従来の多結晶よりも強い多結晶材料の製造方法を提供する。【解決手段】坩堝内の融液からの結晶成長において、坩堝底部に粒界エネルギーの高い粒界を有する多結晶を形成し、次に、一方向成長を行い、粒界エネルギーの高い粒界から、粒界エネルギーの低い粒界を形成するバルク多結晶材料の製造方法で、バルク多結晶材料が、シリコンまたはシリコンゲルマニウム多結晶であるバルク多結晶材料の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

坩堝内の融液からの結晶成長において、坩堝底部に粒界エネルギーの高い粒界を有する多結晶を形成し、次に、一方向成長を行い、粒界エネルギーの高い粒界から、粒界エネルギーの低い粒界を形成することを特徴とするバルク多結晶材料の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 28/06 ,  C30B 29/06 ,  C01B 33/02 ,  C01B 33/06 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

C30B28/06 ,  C30B29/06 501Z ,  C01B33/02 E ,  C01B33/06 ,  H01L31/04 A ,  H01L31/04 X

Fターム (24件)：

4G072AA01 ,  4G072AA20 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072MM21 ,  4G072MM38 ,  4G072NN01 ,  4G072NN30 ,  4G072UU02 ,  4G077AA02 ,  4G077AA07 ,  4G077AB02 ,  4G077BA04 ,  4G077BE05 ,  4G077CD08 ,  4G077ED02 ,  4G077EH06 ,  4G077HA01 ,  4G077MB14 ,  4G077MB32 ,  5F051AA03 ,  5F051CB04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特願2005-195388号
  

審査官引用 (1件)

• 高品質多結晶シリコンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-370347   出願人：JFEスチール株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Directional growth method to obtain high quality polycrystalline silicon from its melt