特許
J-GLOBAL ID：201003037497655258
Si結晶およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
須田 篤
, 楠 修二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-064269
公開番号（公開出願番号）：特開2010-215455
出願日： 2009年03月17日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】Si結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化がおこらない高品質な太陽電池用のSi結晶およびその製造方法を提供する。【解決手段】ドープ元素としてGaとGeとを含有し、チョクラルスキー法またはキャスト法で製造される。ドープ元素として、Bを含有していてもよい。Gaの濃度は2×1014atoms/cm3以上、3×1018atoms/cm3以下の範囲であり、Geの濃度は1×1015atoms/cm3以上、2×1020atoms/cm3以下の範囲であることが好ましい。Gaを単独で添加したときの結晶(a)に比較してGaとGeとを添加した結晶(b)は、V字模様で表されるFPD(Flow Pattern Defect)の密度が低下する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
ドープ元素としてGaとGeとを含有することを、特徴とするSi結晶。
IPC (3件)：
C30B 29/06
, H01L 31/04
, C01B 33/02
C30B29/06 A
, H01L31/04 X
, C01B33/02 E
4G072AA01
, 4G072BB11
, 4G072BB12
, 4G072GG01
, 4G072GG03
, 4G072HH01
, 4G072KK11
, 4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077HA01
, 5F051BA17
, 5F051BA18
, 5F051CB03
, 5F051CB05
, 5F151BA17
, 5F151BA18
, 5F151CB03
, 5F151CB05
