研究者
J-GLOBAL ID:200901078618263875   更新日: 2020年08月28日

渡辺 征夫

ワタナベ ユキオ | Watanabe Yukio
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (4件): 電気電子材料工学 ,  薄膜、表面界面物性 ,  プラズマ科学 ,  プラズマ応用科学
研究キーワード (3件): プラズマ理工学 ,  表面界面物性 ,  電子・電気材料工学
競争的資金等の研究課題 (7件):
  • 1995 - プラズマCVD法を用いた集積回路内銅配線形成
  • 1989 - プロセスプラズマ中の微粒子生成・挙動とその応用
  • 1989 - プロセシングプラズマ中の反応制御
  • プラズマCVD法を用いた超LSI用銅配線技術
  • プラズマ中のパーティクルの挙動制御
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MISC (104件):
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書籍 (8件):
  • Residual Stress in Cu Films Deposited by H-Assisted Plasma CVD Using Cu(EDMDD)2
    Proc. 2003 International Symposium on Dry Process 2003
  • Deposition of Nano-Cluster-Dispersed a-Si:H Films using H2+SiH4 Twin Discharges
    Proc. International Symposium on Information Science and Electrical Engineering 2003 2003
  • Conformal and Anisotropic Deposition of Cu in Trenches by using H-Assisted Plasma CVD Method
    Proc. International Symposium on Information Science and Electrical Engineering 2003 2003
  • Deposition of a-Si:H films of high stability by cluster-suppressed plasma CVD
    Proc. Int. Symp. Plasma Chemistry 2003
  • Effects of Excitation Frequency and H2 Dilution on Cluster Generation in Silane High-Frequency Discharges
    MRS Symp. Proc. 2003
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Works (14件):
  • LSI用低誘電率層間絶縁膜の作製技術の開発
    2002 -
  • Patent "Method for producing particles with diamond structure"
    2002 -
  • 太陽電池用超高品質アモルファスSi薄膜の超高速作製のためのクラスタ抑制プラズマCVD法の開発
    1999 - 2001
  • 水素プラズマ壁相互作用によるカーボンダストの発生機構の研究
    2001 -
  • モノシランプラズマを用いた薄膜作製に関する研究
    2001 -
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学歴 (2件):
  • - 1969 九州大学 工学研究科 電気工学
  • - 1964 九州大学 工学部
学位 (1件):
  • 工学博士 (九州大学)
経歴 (5件):
  • 1972 - 1981 九州大学 助教授
  • 1972 - 1981 九州大学
  • 1981 - - 九州大学 教授
  • 1969 - 1972 九州大学 講師
  • 1969 - 1972 九州大学
委員歴 (5件):
  • 2000 - 2001 米国物理学会 気体電子工学会議(GEC)実行委員
  • 1998 - 照明学会 九州支部長,本部理事
  • 1998 - 電気学会 九州支部長,本部評議員
  • 1996 - プラズマ・核融合学会 九州支部幹事
  • 1990 - 応用物理学会 九州支部理事,本部評議員,九州支部長
所属学会 (5件):
米国物理学会 ,  プラズマ・核融合学会 ,  照明学会 ,  電気学会 ,  応用物理学会
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