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J-GLOBAL ID：200902291190953838   整理番号：07A0624397

(AlN/GaN)マルチバッファ層構造の制御歪によるAlGaN/AlN/SiCエピタキシャル層の貫通転位低減

Reduction of Threading Dislocations in AlGaN/AlN/SiC Epitaxial Layers by Controlled Strain with (AlN/GaN) Multibuffer-Layer Structure

著者 (4件)： MURAKAWA Kouichi (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  NIIKURA Eiichirou (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HASEGAWA Fumio (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWANISHI Hideo (Kogakuin Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46  号： 6A  ページ： 3301-3304  発行年： 2007年06月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/AlN層を,(AlN/GaN)マルチバッファ層構...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...
準シソーラス用語： AlGaN

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (10件)：

• D. Cherns, S.-L. Sahonta, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, and I. Akasaki: Appl. Phys. Lett.85(2004)4923.
• M. Kurimoto, T. Nakada, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Takano, J. Yamamoto, T. Honda, and H. Kawanishi: Phys. Status Solidi A 176(1999)665.
• M. Kurimoto, T. Nakada, Y. Ishihara, M. Shibata, T. Honda, and H. Kawanishi: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999) L551.
• Y. Ishihara, J. Yamamoto, M. Kurimoto, T. Takano, T. Honda, and H. Kawanishi: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999) L1296.
• M. Kurimoto, M. Shibata, J. Yamamoto, M. Tsubamoto, T. Honda, and H. Kawanishi: J. Cryst. Growth 189-190(1998)189.

タイトルに関連する用語 (8件)： AlN ,  GaN ,  マルチ ,  バッファ層 ,  AlGaN ,  SiC ,  エピタキシャル層 ,  貫通転位