研究者
J-GLOBAL ID:200901089736935774   更新日: 2025年04月17日

木本 恒暢

キモト ツネノブ | Kimoto Tsunenobu
所属機関・部署:
職名: 教授
研究分野 (2件): 電子デバイス、電子機器 ,  電気電子材料工学
研究キーワード (3件): 半導体デバイス ,  半導体材料 ,  Semiconductor Material
競争的資金等の研究課題 (39件):
  • 2024 - 2028 パワーエレクトロニクス応用におけるSiC 半導体素子の革新
  • 2021 - 2026 ロバストエレクトロニクスを目指したSiC半導体の学理深化
  • 2021 - 2022 学理に基づく高品質SiC/酸化膜界面の形成とロバストデバイスへの展開
  • 2018 - 2021 半絶縁性SiCの物性・欠陥解明とイオン注入による相補型ロバストJFETの作製
  • 2009 - 2014 炭化珪素半導体の欠陥制御と超高耐圧ロバスト素子への応用
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論文 (636件):
  • Masahiro Hara, Hajime Tanaka, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. Analysis of trap-assisted tunneling current at non-alloyed contacts formed on heavily ion-implanted n-type SiC. Journal of Applied Physics. 2025. 137. 13
  • Kyota Mikami, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. Doping-dependent fixed charges in SiC/SiO2 structure. Applied Physics Express. 2025. 18. 3. 034002-034002
  • Koji Ito, Hajime Tanaka, Masahiro Horita, Jun Suda, Tsunenobu Kimoto. Free electron mobility limited by fixed charges and trapped electrons in 4H-SiC(11 2 ̄ 0) and (1 1 ̄ 00) MOSFETs annealed in NO. Japanese Journal of Applied Physics. 2025. 64. 1. 010902-010902
  • Xilun Chi, Koji Ito, Takeru Suto, Akio Shima, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. Unique Electron Trapping and its Impacts on Electron Mobility in SiC n-Channel MOSFETs. 2024 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). 2024. 1-4
  • Haruki Fujii, Mitsuaki Kaneko, Tsunenobu Kimoto. Depth profiles of hole traps in the tail region of Al ion implantation into p-type 4H-SiC. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 11. 118002-118002
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MISC (160件):
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書籍 (16件):
  • 薄膜作製応用ハンドブック
    NTS 2020
  • Wide Bandgap Semiconductor Power Devices
    Woodhead Publishing 2018
  • Handbook of Crystal Growth, Volume 3B: Thin Films and Epitaxy, 2nd edition
    2014
  • Fundamentals of Silicon Carbide Technology
    John Wiley & Sons 2014
  • Silicon Carbide and Related Materials 2013
    Trans Tech Publications 2014
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講演・口頭発表等 (228件):
  • Progress and Future Challenges of SiC Power MOSFETs
    (5th IEEE Electron Devices Technology and Manufacturing Conference 2021 2021)
  • WISE Program: Innovation of Advanced Photonic and Electronic Devices
    (International Workshop on Education and Research for Future Electronics 2021)
  • Lateral spreads of Al and P atoms implanted into a high-purity semi-insulating SiC substrate
    (2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 2020)
  • High electron mobility along the c-axis in 4H-SiC
    (2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 2020)
  • Accurate Determination of Barrier Heights in Heavily-Doped SiC Schottky Barrier Diodes Fabricated with Various Metals
    (2020 International Conference on Solid State Devices and Materials 2020)
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Works (6件):
  • SiC結晶成長とデバイス応用
    2000 - 2004
  • SiC結晶成長技術
    1999 - 2004
  • Crystal Grouth of SiC
    1999 - 2001
  • Crystal Grouth of SiC and Device Applocations
    2001 -
  • ダイヤモンド半導体に関する研究
    1989 -
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学歴 (4件):
  • - 1988 京都大学 工学研究科 電気工学第二
  • - 1988 京都大学
  • - 1986 京都大学 工学部 電気工学第二
  • - 1986 京都大学
学位 (1件):
  • 工学博士 (京都大学)
経歴 (4件):
  • 1988 - 1990 アモルファスSiおよびダイヤモンド半導体の研究
  • 1988 - 1990 Research and Devclopmant of Amophon Si and Semiconducter Diamond
  • 1990 - - SiCの結晶成長とデバイス応用
  • 1990 - - Cuystal Grouth of SiC and Deuice Applocations
受賞 (23件):
  • 2020 - 山﨑貞一賞
  • 2020 - IEEE ISPSD 2020 Ohmi Best Paper Award
  • 2020 - 文部科学大臣表彰 科学技術賞(研究部門)
  • 2020 - 岩谷直治記念賞
  • 2017 - 科学研究費助成事業 審査員表彰
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所属学会 (7件):
ワイドギャップ半導体学会 ,  Materials Research Society ,  IEEE ,  電気学会 ,  電子情報通信学会 ,  日本結晶成長学会 ,  応用物理学会
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