研究者
J-GLOBAL ID：200901094363741900
更新日: 2020年08月29日
中村 広記
ナカムラ ヒロキ | Nakamura Hiroki
所属機関・部署：
旧所属 東北大学 電気通信研究所 情報デバイス研究部門
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Takuya Ohba, Hiroki Nakamura, Hiroshi Sakuraba, Fujio Masuoka. A novel tri-control gate surrounding gate transistor(TCG-SGT) nonvolatile memory cell for flash memory. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2006. 50. 6. 924-928
Takuya Ohba, Hiroki Nakamura, Hiroshi Sakuraba, Fujio Masuoka. A novel tri-control gate surrounding gate transistor(TCG-SGT) nonvolatile memory cell for flash memory. SOLID-STATE ELECTRONICS. 2006. 50. 6. 924-928
Y Yamamoto, T Hidaka, H Nakamura, H Sakuraba, F Masuoka. Decananometer surrounding gate transistor (SGT) scalability by using an intrinsically-doped body and gate work function engineering. IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. 2006. E89C. 4. 560-567
Y Yamamoto, T Hidaka, H Nakamura, H Sakuraba, F Masuoka. Decananometer surrounding gate transistor (SGT) scalability by using an intrinsically-doped body and gate work function engineering. IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS. 2006. E89C. 4. 560-567
The new Shielded Bitline Sensing Method for FC-SGT Flash memory. 64th Device Research Conference Digest. 2006. ,57-58
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