支持膜下方での後方散乱電子によるX線マスクのかぶり

CHRISTENSON K K; VISWANATHAN R G; HOHN F J

文献

J-GLOBAL ID：200902006176417323 整理番号：91A0233022

支持膜下方での後方散乱電子によるX線マスクのかぶり

X-ray mask fogging by electrons backscattered beneath the membrane.

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資料名：
巻： 8 号： 6 ページ： 1618-1623 発行年： 1990年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電子ビームリソグラフィーでX線マスクを作る際のマスクのかぶり...

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固体デバイス製造技術一般 , X線技術

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