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J-GLOBAL ID:200902014133428316   整理番号:90A0224278

タングステン源としてWCl6を使用したタングステンの選択低圧化学蒸着の実験的,熱力学的研究

Experimental and thermodynamical investigation of selective low pressure chemical vapour deposition of tungsten using WCl6 as tungsten source.
著者 (2件):
資料名:
巻: 176  号:ページ: 263-276  発行年: 1989年09月15日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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標記タングステンの化学蒸着を実験的,熱力学的に研究。この方法...
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分類 (3件):
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金属薄膜  ,  半導体-金属接触【’81~’92】  ,  固体デバイス製造技術一般 

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