GaAs(111)A基板面上にOMVPE法によって成長させたAlGaAs層の形態

UMEMURA M; KUWAHARA K; FUKE S; SATO M; IMAI T

文献

J-GLOBAL ID：200902014532038750 整理番号：92A0573178

GaAs(111)A基板面上にOMVPE法によって成長させたAlGaAs層の形態

Morphology of AlGaAs layer grown on GaAs(111)A substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy.

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資料名：
巻： 72 号： 1 ページ： 313-315 発行年： 1992年07月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記の成長法によって表面の滑らかなAl<sub>x</sub...

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半導体薄膜

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