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J-GLOBAL ID:200902014532038750   整理番号:92A0573178

GaAs(111)A基板面上にOMVPE法によって成長させたAlGaAs層の形態

Morphology of AlGaAs layer grown on GaAs(111)A substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy.
著者 (5件):
資料名:
巻: 72  号:ページ: 313-315  発行年: 1992年07月01日 
JST資料番号: C0266A  ISSN: 0021-8979  CODEN: JAPIAU  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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半導体薄膜 
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