ひ素圧を制御した分子ビームエピタキシーで成長させたGaAs膜の表面形態

WANG Y H; LIU W C; CHANG C Y; LIAO S A

文献

J-GLOBAL ID：200902017985819558 整理番号：86A0275971

ひ素圧を制御した分子ビームエピタキシーで成長させたGaAs膜の表面形態

Surface morphologies of GaAs layers grown by arsenic-pressure-controlled molecular beam epitaxy.

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巻： 4 号： 1 ページ： 30-36 発行年： 1986年01月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

標記のGaAs膜の作製条件と表面欠陥の関係を調べた。成長過程...

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半導体薄膜 , 半導体の表面構造

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