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J-GLOBAL ID：200902023520859197   整理番号：89A0018861

Al-Ta(N)-Al3層陽極酸化膜の誘電特性に及ぼすTaマイグレーションの影響

Influence of the Ta migration on dielectric properties of anodized A1-Ta(N)-Al tri-layered oxide films.

著者 (4件)： 土橋剛 (旭川工高専) ,  梅沢利二 (北見工大 工) ,  佐々木克孝 (北見工大 工) ,  野矢厚 (北見工大 工)
資料名： 電子情報通信学会論文誌 C  (Transactions of the Institute of Electronics, Information and Communication Engineers. C)
巻： 71  号： 11  ページ： 1522-1528  発行年： 1988年11月 
JST資料番号： S0623A  ISSN： 0913-5723  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： RF2極スパッタにより成膜したAl-Ta(N)-Al3層金属...

シソーラス用語： 薄膜コンデンサ ,...
準シソーラス用語： 陽極酸化

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  Ta ,  陽極酸化膜 ,  誘電特性 ,  マイグレーション