研究者
J-GLOBAL ID:200901052389763576
更新日: 2022年08月21日
佐々木 克孝
ササキ カツタカ | Sasaki Katsutaka
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所属機関・部署:
北見工業大学 工学部 マテリアル工学科
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職名:
名誉教授
研究分野 (2件):
電気電子材料工学
, 薄膜、表面界面物性
研究キーワード (4件):
薄膜物性工学
, 電子材料
, Material Science of Thin Solid Films
, Electronic Material
競争的資金等の研究課題 (6件):
陽極酸化皮膜の電子デバイスへの適用
ヘテロエピタキシャル成長と表面モフォロジーの評価
Si-LSIメタライゼーション技術
Application of anodic oxide film to electronic devices
Heteroepitaxial growth of thin films and evaluation of surface morphologies
Si-LSI metallization technology
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MISC (293件):
Yoshio Abe, Hideaki Ueta, Takeshi Obata, Midon Kawamura, Katsutaka Sasaki, Hidenobu Itoh. Effects of Sputtering Gas Pressure on Electrochromic Properties of Ni Oxyhydroxide Thin Films Prepared by Reactive Sputtering in H2O Atmosphere. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2010. 49. 11. 115802-1-115802-4
Yoshio Abe, Hideaki Ueta, Takeshi Obata, Midon Kawamura, Katsutaka Sasaki, Hidenobu Itoh. Effects of Sputtering Gas Pressure on Electrochromic Properties of Ni Oxyhydroxide Thin Films Prepared by Reactive Sputtering in H2O Atmosphere. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2010. 49. 11. 115802-1-115802-4
Hidefumi Kimizaki, Satoko Shinkai, Katsutaka Sasaki, Hideto Yanagisawa, Misao Yamane, Yoshio Abe. Dielectric Properties of Zr-Al Anodized Thin Film Capacitors Prepared Using Al-Doped Zr Alloy Films. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2010. 49. 10. 10501-1-10501-5
Hidefumi Kimizaki, Satoko Shinkai, Katsutaka Sasaki, Hideto Yanagisawa, Misao Yamane, Yoshio Abe. Dielectric Properties of Zr-Al Anodized Thin Film Capacitors Prepared Using Al-Doped Zr Alloy Films. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2010. 49. 10. 10501-1-10501-5
Midori Kawamura, Terumasa Fudei, Yoshio Abe, Katsutaka Sasaki. Improved Thermal Stability of Ag Thin Films by Organic Subnanolayer at Interface with Silicon Oxide Layer. JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2009. 48. 11. 118002
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書籍 (5件):
透明導電膜
シーエムシー出版 2005 ISBN:4882318601
Trasparent Conductive Films
CMC Corporation 2005 ISBN:4882318601
透明導電膜の新展開 第9章 TiN薄膜〜透明導電膜への適用可能〜
(株)シーエムシー 1999
Developments of Trasparent Conductive Films: Chapter 9: TiN Thin Film〜Applicability to Transparent Conductive Film〜
CMC Corporation 1999
Developments of Trasparent Conductive Films: Chapter 9: TiN Thin Film〜Applicability to Transparent Conductive Film〜
CMC Corporation
Works (3件):
Hafnium nitride as an intermediate layer for growth of gallium nitride on silicon
2002 -
遷移金属/Si系における界面反応の電顕観察
1996 -
TEM observation of interfacial reaction of transition metal/Si system
1996 -
学歴 (2件):
- 1967 北海道大学 理学部 高分子学
- 1967 北海道大学
学位 (1件):
工学博士 (北海道大学)
経歴 (6件):
1979 - 1990 北見工業大学 助教授
1979 - 1990 北見工業大学
1990 - - 北見工業大学 教授
1990 - - Kitami Institute of Technology, Professor
1975 - 1979 北見工業大学 講師
1975 - 1979 北見工業大学
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所属学会 (3件):
日本化学会
, 応用物理学会
, 電子情報通信学会
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