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J-GLOBAL ID：200902024257193835   整理番号：91A0504277

Co-sputter法によるSb添加a-SiC:H薄膜の作製と特性

Preparation and properties of Sb-doped amorphous SiC:H films by co-sputtering.

著者 (4件)： 冨岡雄吾 (静岡大 電子工研) ,  斎藤順雄 (静岡大 電子工研) ,  山口十六夫 (静岡大 電子工研) ,  河村和彦 (新日本製鉄 エレクトロニクス研)
資料名： 真空  (Journal of the Vacuum Society of Japan)
巻： 34  号： 3  ページ： 351-353  発行年： 1991年03月 
JST資料番号： G0194A  ISSN： 0559-8516  CODEN： SHINA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 共スパッタ法により不純物を固相から添加する方法で,N型のSb...

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,...
準シソーラス用語： 禁止帯

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  非晶質・液体半導体の電気伝導  (BM03042G)

引用文献 (4件)：

• 1) 斎藤順雄, 田中孝彦, 山田武志, 仲秋 勇, 山口十六夫 : 真空, 29 (1986) 251.
• 2) 斎藤, 順雄 : 真空, 30 (1987) 69.
• 3) 冨岡雄吾, 斎藤順雄, 山口十六夫, 河村和彦 : 真空, 33 (1990) 733.
• 4) H. H. Andersen, H. L. Bay : in Sputtering by Particle Bombardment I, Topics in Applied Physics, Vol. 47 (Springer-Vorlag, Berlin, 1981).

タイトルに関連する用語 (5件)： CO ,  Sb ,  SiC ,  薄膜 ,  作製