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J-GLOBAL ID：200902028786998380   整理番号：88A0512165

減圧化学蒸着による自己整合性のTiとPtNiのけい素化合物上の選択的タングステン成長

Growth of selective tungsten on self-aligned Ti and PtNi silicides by low pressure chemical vapor deposition.

著者 (8件)： BROADBENT E K (Philips Research Lab., CA, USA) ,  MORGAN A E (Philips Research Lab., CA, USA) ,  DEBLASI J M (Philips Research Lab., CA, USA) ,  VAN DER PUTTE P (Philips Research Lab., CA, USA) ,  READER A (Philips Research Lab. Eindhoven, Eindhoven, NLD) ,  COULMAN B (Philips Research Lab., CA, USA) ,  BURROW B J (Philips Research Lab., CA, USA) ,  SADANA D K (Philips Research Lab., CA, USA)
資料名： Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications  (Tungsten and Other Refractory Metals for VLSI Applications)
ページ： 63-79  発行年： 1986年 
JST資料番号： K19880493  ISBN： 0-931837-32-4  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： TiSi₂並びにPtNiSi上にWF<...

シソーラス用語： 自己整合 ,...

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分類 (2件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 減圧化学蒸着 ,  自己整合 ,  Ti ,  けい素化合物 ,  タングステン ,  成長