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J-GLOBAL ID：200902035014485562   整理番号：88A0419653

デープエッチシンクロトロン放射リソグラフィーの進歩

Progress in deep-etch synchrotron radiation lithography.
著者 (8件)：
EHRFELD W

EHRFELD W について

(Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU)

Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU について

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BLEV P

BLEV P について

(Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU)

Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU について

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GOETZ F

GOETZ F について

(Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU)

Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU について

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MOHR J

MOHR J について

(Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU)

Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU について

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MUENCHMEYER D

MUENCHMEYER D について

(Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU)

Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU について

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SCHELB W

SCHELB W について

(Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU)

Kernforschungszentrum Karlsruhe, Karlsruhe, DEU について

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BAVING H J

BAVING H J について

(Degussa AG, Hanau, DEU)

Degussa AG, Hanau, DEU について

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BEETS D

BEETS D について

(Nederlandse Philips Bedrijven, Eindhoven, NLD)

Nederlandse Philips Bedrijven, Eindhoven, NLD について


資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures について


巻： 6  号： 1  ページ： 178-182  発行年： 1988年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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LIGA法に用いる標記技術の発展を紹介。波長0.2nm用の高...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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X線照射

X線照射 について

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橋架け

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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

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(BA02060D)

X線技術 について

タイトルに関連する用語 (2件)：
タイトルに関連する用語
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リソグラフィー

リソグラフィー について


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