二酸化けい素のドライエッチング機構 直接反応性イオンエッチングの場合

STEINBRUECHEL C; LEHMANN H W; FRICK K

文献

J-GLOBAL ID：200902046097481905 整理番号：85A0168555

二酸化けい素のドライエッチング機構直接反応性イオンエッチングの場合

Mechanism of dry etching of silicon dioxide. A case of direct reactive ion etching.

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巻： 132 号： 1 ページ： 180-186 発行年： 1985年01月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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プラズマ応用 , 固体デバイス製造技術一般

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二酸化けい素のドライエッチング機構 直接反応性イオンエッチングの場合

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