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J-GLOBAL ID:200902046397238697   整理番号:86A0529289

原子サイズの解像力の電子顕微鏡によるヘテロエピタキシャル界面の研究

Study of heteroepitaxial interfaces by atomic resolution electron microscopy.
著者 (9件):
資料名:
巻:号:ページ: 896-899  発行年: 1986年07月 
JST資料番号: E0974A  ISSN: 1071-1023  CODEN: JVTBD9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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1MVの超高真空電子顕微鏡を用いGaAs/SiとCdTe/G...
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の表面構造  ,  半導体の格子欠陥 

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