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J-GLOBAL ID：200902048822822325   整理番号：92A0432136

SiO₂超薄膜を用いたSiMOS構造における可視域電界発光

Visible electroluminescence in Si MOS structure using SiO₂ ultra thin film.

著者 (4件)： 金島岳 (大阪大 基礎工) ,  豆崎裕一 (大阪大 基礎工) ,  奥山雅則 (大阪大 基礎工) ,  浜川圭弘 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 39th  号： Pt 2  ページ： 702  発行年： 1992年03月 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (3件)： SiO2 ,  超薄膜 ,  電界発光