分子ビームエピタキシー法による正常および反転界面の形成の動力学  高エネルギー電子回折によるGaAs/Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>As(100)系多重量子井戸構造の動特性研究

YEN M Y; LEE T C; CHEN P; MADHUKAR A

文献

J-GLOBAL ID：200902053268973484 整理番号：86A0345832

分子ビームエピタキシー法による正常および反転界面の形成の動力学高エネルギー電子回折によるGaAs/Al_xGa_1-xAs(100)系多重量子井戸構造の動特性研究

Kinetics of the formation of normal and inverted molecular beam epitaxial interfaces: A reflection high-energy electron diffraction dynamics study of GaAs/Al_xGa_1-xAs(100) multiple quantum wells.

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巻： 4 号： 2 ページ： 590-593 発行年： 1986年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

GaAs/AlAs超格子の分子ビームエピタキシャル成長過程に...

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半導体-半導体接触【’81~’92】 , 半導体薄膜

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分子ビームエピタキシー法による正常および反転界面の形成の動力学 高エネルギー電子回折によるGaAs/AlxGa1-xAs(100)系多重量子井戸構造の動特性研究

分子ビームエピタキシー法による正常および反転界面の形成の動力学高エネルギー電子回折によるGaAs/Al_xGa_1-xAs(100)系多重量子井戸構造の動特性研究