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J-GLOBAL ID：200902057396928543   整理番号：83A0275753

プラズマさや電場とrfパワー密度によるプラズマエッチプロフィルの制御

Control of plasma etch profiles with plasma sheath electric field and rf power density.

著者 (2件)： ZAROWIN C B (IBM Corp., New York) ,  HORWATH R S (IBM Corp., New York)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 129  号： 11  ページ： 2541-2547  発行年： 1982年11月 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エッチ試料が浸されるプラズマさや電場により,多結晶シリコン膜...

シソーラス用語： プラズマ加工 ,...
準シソーラス用語： 四塩化炭素

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分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ応用  (BJ02110K)

タイトルに関連する用語 (6件)： プラズマさや ,  電場 ,  RF ,  パワー密度 ,  プラズマエッチ ,  プロフィル