水素プラズマで清浄化したシリコン表面の性質

ISHII M; NAKASHIMA K; TAJIMA I; YAMAMOTO M

文献

J-GLOBAL ID：200902072974448273 整理番号：91A0392592

水素プラズマで清浄化したシリコン表面の性質

Properties of silicon surface cleaned by hydrogen plasma.

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巻： 58 号： 13 ページ： 1378-1380 発行年： 1991年04月01日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

水素電子サイクロトロン共鳴プラズマ照射により清浄化したSi(...

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固体デバイス製造技術一般 , 半導体の表面構造 , プラズマ応用

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