有限要素法によるパルスレーザ光照射アモルファスシリコン薄膜の熱解析

文献

J-GLOBAL ID：200902075722020725 整理番号：89A0128244

The finite element thermal analysis of amorphous silicon thin films irradiated by a pulsed laser.

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資料名：
巻： 108 号： 10 ページ： 443-450 発行年： 1988年10月
JST資料番号： S0808A ISSN： 0385-4205 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

有限要素法を用いて,石英ガラス基板(厚さ1mm)上に形成され...

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半導体薄膜 , 不純物・欠陥の電子構造

引用文献 (24件)：

(1) G. Auvert, D. Bensahel, A. Perio, V. T. Nguyen & G. A. Rozgonyi: "Explosive crystallization of a-Si films in both the solid and liquid phases", Appl. Phys. Lett., 39, 724 (1981)
(2) S. Prawer, R. Kalish & M. Adel: "Pulsed laser treatment of diamondlike carbon films", Appl. Phys. Lett., 48, 1585 (1986)
(3) Ioannis N. Miaoulis & Bora. B. Mikic: "Temperature distribution of silicon-on-insulator systems during recrys. tallization processing", J. Appl. Phys., 59, 1663 (1986)
(4) G. E. Jellison, Jr. & D. H. Lowndes: Semiconductors and Semimetals, edited by R. F. Wood, C. W. White & R. T. Young, chap. 3 & 8 (1984) Academic Press
(5) Arun Inam, X. D. Wu, T. Venkatesan, S. B. Ogale, C. C. Chang & D, Dijkkamp: "Pulsed laser etching of high Tc superconducting films", Appl. Phys. Lett., 51, 1112 (1987)

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