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J-GLOBAL ID：200902086403921290   整理番号：88A0101970

連続レーザの変調励起を用いた有機金属分解気相成長法によるGaAsの原子層状成長

Atomic-layer growth of GaAs by modulated-continuous-wave laser metal-organic vapor-phase epitaxy.

著者 (4件)： AOYAGI Y (Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN) ,  DOI A (Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN) ,  IWAI S (Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN) ,  NAMBA S (Inst. Physical and Chemical Research, Wako-shi, JPN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 5  号： 5  ページ： 1460-1464  発行年： 1987年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AsH₃と有機金属化合物(トリメチルガ...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...
準シソーラス用語： ALE ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 連続レーザ ,  変調 ,  励起 ,  有機金属 ,  分解 ,  気相成長 ,  GaAs ,  原子