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J-GLOBAL ID：200902088242282066   整理番号：89A0619756

高性能材料開発のための表面・界面の制御技術に関する研究(第II期)報告書 昭和59~60年度科学技術振興調整費 「半導体格子欠陥」および「表面・界面の制御技術」に関するシンポジウム(科学技術庁S)

Research (phase II) report on surface and interface control technology for developing high-performance materials. Science and technology Promotion adjusted funds in 1984 and 1985. Symposium on “Semiconductor Lattice Defect” and “Surface and Interface Control Technology”.
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著者 (8件)：
太田多か夫

太田多か夫 について

(東芝)

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和佐清孝

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(松下電器産業)

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森田慎三

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(名城大 理工)

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青野正和

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(無機材質研)

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伊原英雄

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(電総研)

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川辺光央

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(筑波大 物質工学系)

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石谷あきら

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(東レリサーチセ)

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岩木正哉

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(理研)

理研 について


資料名：
高性能材料開発のための表面・界面の制御技術に関する研究(第2期)報告書 昭和59-60年度 「半導体格子欠陥」および「表面・界面の制御技術」に関するシンポジウム 資料2  (科学技術振興調整費)

高性能材料開発のための表面・界面の制御技術に関する研究(第2期)報告書 昭和59-60年度 「半導体格子欠陥」および「表面・界面の制御技術」に関するシンポジウム 資料2 について


ページ： 269P  発行年： 1986年 
JST資料番号： N19892812  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)
抄録/ポイント：
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基礎研究の成果を実用材料の開発に結びつけるために,社会的要請...
シソーラス用語：
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半導体材料

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科学技術庁S

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分類 (2件)：
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半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

,  半導体の表面構造 
(BK15030A)

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タイトルに関連する用語 (10件)：
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高性能

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材料開発

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界面

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制御技術

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報告書

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科学技術振興調整費

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格子欠陥

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シンポジウム

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科学技術庁

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