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J-GLOBAL ID：200902089266220246   整理番号：91A0854478

ジルコニウムチタン酸鉛ランタン薄膜をプラズマエッチングしたときのエッチング速度と膜の学量論比の変化

Measurements of etch rate and film stoichiometry variations during plasma etching of lead-lanthanum-zirconium-titanate thin films.

著者 (2件)： POOR M R (Univ. New Mexico, New Mexico) ,  FLEDDERMANN C B (Univ. New Mexico, New Mexico)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 70  号： 6  ページ： 3385-3387  発行年： 1991年09月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CF₄,He内稀釈HCl気体のホロー陰...

シソーラス用語： プラズマエッチング ,...
準シソーラス用語： 四ふっ化炭素

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分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： ジルコニウム ,  チタン酸鉛 ,  ランタン ,  薄膜 ,  プラズマエッチング ,  エッチング速度 ,  学