GaAs基板面に成長させたGaAs<sub>y</sub>Sb<sub>1-y</sub>の格子不整合のヘテロエピタキシャル界面

CHENG H; KOYANAGI T; MILNES A G

文献

J-GLOBAL ID：200902091741824059 整理番号：86A0336621

GaAs基板面に成長させたGaAs_ySb_1-yの格子不整合のヘテロエピタキシャル界面

Lattice-mismatched heteroepitaxial interface of GaAs_ySb_1-y on GaAs substrates.

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巻： 4 号： 2 ページ： 528-531 発行年： 1986年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

表面状態のV族元素安定化のため余分にArを与えながらSb/G...

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半導体-半導体接触【’81~’92】

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GaAs基板面に成長させたGaAsySb1-yの格子不整合のヘテロエピタキシャル界面

GaAs基板面に成長させたGaAs_ySb_1-yの格子不整合のヘテロエピタキシャル界面