プラズマエッチング中における電荷蓄積による酸化物の絶縁破壊

RYD<span style=text-decoration:overline>E ́</span>N K-H; NORSTROEM H; NENDER C; BERG S

文献

J-GLOBAL ID：200902092007395810 整理番号：88A0165147

プラズマエッチング中における電荷蓄積による酸化物の絶縁破壊

Oxide breakdown due to charge accumulation during plasma etching.

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資料名：
巻： 134 号： 12 ページ： 3113-3118 発行年： 1987年12月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

ウエハを含むMOSデバイスのポリゲート構造作成中に,プラズマ...

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固体デバイス製造技術一般

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