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J-GLOBAL ID：200902101053947444   整理番号：97A1045041

Bをドープしたホモエピタキシャルなダイヤモンド(001)膜の電気的性質

Electrical properties of B-doped homoepitaxial diamond(001) film.

著者 (8件)： KIYOTA H (Kyushu Tokai Univ., Kumamoto, JPN) ,  MATSUSHIMA E (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  SATO K (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  OKUSHI H (Electrotechnical Lab., Ibaraki, JPN) ,  ANDO T (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  TANAKA J (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  KAMO M (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN) ,  SATO Y (National Inst. Res. Inorganic Materials, Ibaraki, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 6  号： 12  ページ： 1753-1758  発行年： 1997年12月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホモエピタキシャル成長させたダイヤモンド(001)膜の電気的...

シソーラス用語： ダイヤモンド ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  ホモ ,  エピタキシャル ,  ダイヤモンド ,  電気的性質