研究者

J-GLOBAL ID：200901059636404279 更新日: 2024年01月30日

清田英夫

キヨタヒデオ | Kiyota Hideo

所属機関・部署：
職名：教授

研究分野 (1件)：電気電子材料工学

研究キーワード (4件)：薄膜 , ダイヤモンド , デバイス , 半導体

競争的資金等の研究課題 (6件)：

2010 - 2012 電気化学プロセスによる窒化カーボンの液相合成とLow-k層間絶縁膜への応用
2000 - 2001 液相中でのダイヤモンドライクカーボン薄膜の堆積と不純物制御
ダイヤモンドライク-カーボン及びCN_Xの液相合成
気相合成ダイヤモンド薄膜の電子デバイス化に関する研究
Liquid-phase deposition of Diamond-like Carbon and CN_X films

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論文 (29件)：

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MISC (14件)：

H Kiyota, H Araki, H Kobayashi, T Shiga, K Kitaguchi, M Iida, H Wang, T Miyo, T Takida, T Kurosu, et al. Electron field emission from diamond-like carbon films deposited by electrolysis of methanol liquid. APPLIED PHYSICS LETTERS. 1999. 75. 15. 2331-2333
H Kiyota, E Matsushima, K Sato, H Okushi, T Ando, J Tanaka, M Kamo, Y Sato. Electrical properties of B-doped homoepitaxial diamond (001) film. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 1997. 6. 12. 1753-1758
Semiconducting properties of homoepitaxially grown diamond film(共著). Proceedings of The 4th NIRIM International Symposium on Advanced Materials, NIRIM. 1997. 167
H Kiyota, H Okushi, T Ando, M Kamo, Y Sato. Electrical properties of a Schottky barrier formed on a homoepitaxially grown diamond(001) film. DIAMOND AND RELATED MATERIALS. 1996. 5. 6-8. 718-722
H KIYOTA, E MATSUSHIMA, K SATO, H OKUSHI, T ANDO, M KAMO, Y SATO, M LIDA. ELECTRICAL-PROPERTIES OF SCHOTTKY-BARRIER FORMED ON AS-GROWN AND OXIDIZED SURFACE OF HOMOEPITAXIALLY GROWN DIAMOND(001) FILM. APPLIED PHYSICS LETTERS. 1995. 67. 24. 3596-3598

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講演・口頭発表等 (1件)：

Field emission from amorphous carbon films grown by electrochemical deposition using methanol liquid
(J Appl Phys 2006)

学歴 (4件)：

- 1994 東海大学工学研究科電子工学
- 1994 TOKAI UNIVERSITY Graduate School, Division of Engineering
- 1989 東海大学工学部電子工学
- 1989 TOKAI UNIVERSITY Faculty of Engineering

学位 (1件)：

博士(工学) (東海大学)

経歴 (1件)：

2022/07 - 現在東海大学文理融合学部人間情報工学科教授

所属学会 (1件)：

日本応用物理学会

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