多孔質シリコン形成の増強と抑制

DUTTAGUPTA S P; PENG C; FAUCHET P M; KURINEC S K; BLANTON T N

文献

J-GLOBAL ID：200902101319451440 整理番号：95A0654799

多孔質シリコン形成の増強と抑制

Enhancement and suppression of the formation of porous silicon.

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資料名：
巻： 13 号： 3 ページ： 1230-1235 発行年： 1995年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

多孔質Siの形成を増強あるいは抑制するための種々の方法を調べ...

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半導体薄膜 , 半導体のルミネセンス

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