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J-GLOBAL ID：200902101402091420   整理番号：97A0194382

水収着能の高いArF表面改質レジストプロセス

ArF surface modification resist process with enhanced water sorption ability.
著者 (4件)：
MATSUO T

MATSUO T について

(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)

Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN について

, 
ENDO M

ENDO M について

(Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN)

Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Osaka, JPN について

, 
SHIRAI M

SHIRAI M について

(Univ. Osaka Prefecture, Osaka, JPN)

Univ. Osaka Prefecture, Osaka, JPN について

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TSUNOOKA M

TSUNOOKA M について

(Univ. Osaka Prefecture, Osaka, JPN)

Univ. Osaka Prefecture, Osaka, JPN について


資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures について


巻： 14  号： 6  ページ： 4212-4215  発行年： 1996年11月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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露光後のレジスト表面に化学蒸着によりポリシロキサンを形成する...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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エキシマレーザ

エキシマレーザ について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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メタクリル酸メチル

メタクリル酸メチル について

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分類 (1件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
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ARF

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表面改質

表面改質 について

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レジスト

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プロセス

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