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J-GLOBAL ID：200902101464135190   整理番号：01A1028394

ミクロパイプ分解による4H-SiCエピ層の電気特性の向上

Improvement in Electrical Properties of 4H-SiC Epilayers by Micropipe Dissociaon.

著者 (4件)： KAMATA I (Yokosuka Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  TSUCHIDA H (Yokosuka Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  JIKIMOTO T (Yokosuka Res. Lab., Kanagawa, JPN) ,  IZUMI K (Yokosuka Res. Lab., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 10A  ページ： L1012-L1014  発行年： 2001年10月01日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC気相エピタクシーによるミクロパイプ欠陥の分解がエ...

シソーラス用語： 細孔 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (10件)：

• 1) Y. Sugawara, D. Takayama, K. Asano, R. Singh, J. Palmour and T. Hayashi: <I>Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices & ICs</I> (Inst. Electr. Eng. Jpn., Osaka, 2001) p. 27.
• 2) D. Peters, K. O. Dohnke, C. Hecht and D. Stephani: Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 675.
• 3) P. G. Neudeck and J. A. Powell: IEEE Electron Device Lett. 15 (1994) 63.
• 4) Q. Wahab, A. Ellison, C. Hallin, A. Henry, J. Di Persio, R. Martinez and E. Janzen: Mater. Sci. Forum 338-342 (2000) 1175.
• 5) A. O. Konstantinov, Q. Wahab, N. Nordell and U. Lindefelt: J. Electron. Mater. 27 (1998) 335.

タイトルに関連する用語 (5件)： パイプ ,  分解 ,  4H-SiC ,  エピ層 ,  電気特性