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J-GLOBAL ID：200902142539574257   整理番号：98A0562321

4H-SiCにおけるアバランシェ降伏と衝突イオン化の研究

Study of Avalanche Breakdown and Impact Ionization in 4H Silicon Carbide.

著者 (4件)： KONSTANTINOV A O (ABB Corporate Res., Kista, SWE) ,  WAHAB Q (ABB Corporate Res., Linkoeping, SWE) ,  NORDELL N (Industrial Microelectronics Center, Kista, SWE) ,  LINDEFELT U (ABB Corporate Res., Vaesteras, SWE)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 27  号： 4  ページ： 335-341  発行年： 1998年04月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCは強い電気特性を持ち,有望な材料であるが,特に4H-S...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...
準シソーラス用語： VPE成長 ,...

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分類 (2件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  アバランシェ降伏 ,  衝突イオン化 ,  研究