In<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>Asキャッピング層を用いたInAs量子ドット赤外検出器の中間及び長波長二重応答のテーラリング

KIM E-T; CHEN Z; HO M; MADHUKAR A

文献

J-GLOBAL ID：200902101709498234 整理番号：02A0597234

In_xGa_1-xAsキャッピング層を用いたInAs量子ドット赤外検出器の中間及び長波長二重応答のテーラリング

Tailoring mid- and long-wavelength dual response of InAs quantum-dot infrared photodetectors using In_xGa_1-xAs capping layers.

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巻： 20 号： 3 ページ： 1188-1191 発行年： 2002年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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赤外・遠赤外領域の測光と光検出器

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InxGa1-xAsキャッピング層を用いたInAs量子ドット赤外検出器の中間及び長波長二重応答のテーラリング

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