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J-GLOBAL ID：200902101781021949   整理番号：95A1007959

GaAs(100)基板上[001]微細加工リッジにMBE成長したInGaAs/GaAs多層構造のIn組成の横方向変化

Lateral variation of In content of InGaAs/GaAs multilayer grown by MBE on 001 ridges of (100) GaAs patterned substrates.

著者 (9件)： LIU Y (大阪大 基礎工) ,  上久保徳貴 (大阪大 基礎工) ,  大橋政信 (大阪大 基礎工) ,  下村哲 (大阪大 基礎工) ,  邑瀬和生 (大阪大 理) ,  蒲生健次 (大阪大 極限物質研セ) ,  安立明 (日新電機) ,  佐野直克 (関西学院大) ,  冷水佐寿 (大阪大 基礎工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 56th  号： 1  ページ： 186  発行年： 1995年08月 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

タイトルに関連する用語 (8件)： GaAs ,  微細加工 ,  リッジ ,  MBE成長 ,  InGaAs ,  多層構造 ,  組成 ,  横方向