極めて薄いシリコン界面制御層があるInPの新しい酸化物フリーな絶縁化ゲートの最適化と界面特性評価

FU Z; TAKAHASHI H; KASAI S; HASEGAWA H

文献

J-GLOBAL ID：200902102287630599 整理番号：02A0501596

極めて薄いシリコン界面制御層があるInPの新しい酸化物フリーな絶縁化ゲートの最適化と界面特性評価

Indium Phosphide & Related Materials. Optimization and Interface Characterization of a Novel Oxide-Free Insulated Gate Structure for InP Having an Ultrathin Silicon Interface Control Layer.

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巻： 41 号： 2B ページ： 1062-1066 発行年： 2002年02月28日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

極めて薄いSi界面制御層(Si ICL)があるInPの新しい...

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トランジスタ

引用文献 (15件)：

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