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J-GLOBAL ID：200902102334262528   整理番号：93A0535902

気相エピタキシャルGaAs0.6P0.4:Te内の成長導入点欠陥

Grown-in point defects in vapour phase epitaxial GaAs0.6P0.4:Te.
著者 (1件)：
KAMINSKI P

KAMINSKI P について

(Inst. Electronic Materials Technology, Warszawa, POL)

Inst. Electronic Materials Technology, Warszawa, POL について


資料名：
Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)

Semiconductor Science and Technology について


巻： 8  号： 4  ページ： 538-543  発行年： 1993年04月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
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深準位過渡分光法によると,Gaリッチ気相成長試料には,T1(...
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シソーラス用語/準シソーラス用語
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ガリウム化合物

ガリウム化合物 について

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分類 (2件)：
分類
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不純物・欠陥の電子構造 
(BM02100I)

不純物・欠陥の電子構造 について

,  半導体の格子欠陥 
(BK12040Q)

半導体の格子欠陥 について

タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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気相

気相 について

, 
エピタキシャル

エピタキシャル について

, 
Te

Te について

, 
成長

成長 について

, 
点欠陥

点欠陥 について


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