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J-GLOBAL ID：200902102529246870   整理番号：00A0329507

光照射によりn型シリコンに注入された水素の電子トラップの消滅と生成

Annihilation and formation of electron traps in hydrogen-implanted n-type silicon by light illumination.
著者 (2件)：
TOKUDA Y

TOKUDA Y について

(Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN)

Aichi Inst. Technol., Toyota, JPN について

, 
ITO A

ITO A について

(Suzuka National Coll. Technol., Suzuka, JPN)

Suzuka National Coll. Technol., Suzuka, JPN について


資料名：
Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)

Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology について


巻： B71  ページ： 1-5  発行年： 2000年02月14日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)
タイトルに関連する用語 (5件)：
タイトルに関連する用語
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光照射

光照射 について

, 
N型シリコン

N型シリコン について

, 
注入

注入 について

, 
水素

水素 について

, 
電子トラップ

電子トラップ について


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