HUANG L J について
IBM T.J. Watson Res. Center, New York について
CHU J O について
IBM T.J. Watson Res. Center, New York について
CANAPERI D F について
IBM T.J. Watson Res. Center, New York について
D’EMIC C P について
IBM T.J. Watson Res. Center, New York について
ANDERSON R M について
IBM T.J. Watson Res. Center, New York について
KOESTER S J について
IBM T.J. Watson Res. Center, New York について
WONG H-S P について
IBM T.J. Watson Res. Center, New York について
Applied Physics Letters について
FET【トランジスタ】 について
金属-絶縁体-半導体構造 について
13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合 について
固体デバイス製造技術一般 について
ウエハボンディング について
層 について
作製 について
高性能 について
電界効果トランジスタ について
SiGe について
絶縁体 について