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J-GLOBAL ID：200902103922389549   整理番号：94A0634279

InGaNとInAlNのドライパターン形成

Dry patterning of InGaN and InAlN.
著者 (3件)：
PEARTON S J

PEARTON S J について

(Univ. Florida, Florida)

Univ. Florida, Florida について

, 
ABERNATHY C R

ABERNATHY C R について

(Univ. Florida, Florida)

Univ. Florida, Florida について

, 
REN F

REN F について

(AT&T Bell Lab., New Jersey)

AT&T Bell Lab., New Jersey について


資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 64  号： 26  ページ： 3643-3645  発行年： 1994年06月27日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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InxGa1-x...
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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プラズマエッチング

プラズマエッチング について

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準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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窒化ガリウムインジウム

窒化ガリウムインジウム について

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分類 (2件)：
分類
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固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

固体デバイス製造技術一般 について

,  プラズマ応用 
(BJ02110K)

プラズマ応用 について

タイトルに関連する用語 (3件)：
タイトルに関連する用語
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InGaN

InGaN について

, 
InAlN

InAlN について

, 
パターン形成

パターン形成 について


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