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J-GLOBAL ID：200902104012877120   整理番号：00A0371901

パルスレーザ成長により形成されたアニール処理AlN膜の性質

The Properties of Annealed AlN Films Deposited by Pulsed Laser Deposition.

著者 (9件)： JONES K A (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  DERENGE M A (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  ZHELEVA T S (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  KIRCHNER K W (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  ERVIN M H (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  WOOD M C (U.S. Army Res. Lab., MD) ,  VISPUTE R D (Univ. Maryland, MD) ,  SHARMA R P (Univ. Maryland, MD) ,  VENKATESAN T (Univ. Maryland, MD)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 29  号： 3  ページ： 262-267  発行年： 2000年03月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ成長によりSiC基板上又はサファイア基板上に形成...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： パルスレーザ ,  成長 ,  アニール処理 ,  AlN ,  性質