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J-GLOBAL ID:200902104012877120   整理番号:00A0371901

パルスレーザ成長により形成されたアニール処理AlN膜の性質

The Properties of Annealed AlN Films Deposited by Pulsed Laser Deposition.
著者 (9件):
資料名:
巻: 29  号:ページ: 262-267  発行年: 2000年03月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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パルスレーザ成長によりSiC基板上又はサファイア基板上に形成...
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分類 (1件):
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固体デバイス材料 
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