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J-GLOBAL ID：200902104088791225   整理番号：00A0746974

Naフラックスを使うことによる窒化物結晶,BN,AlN及びGaNの成長

Growth of nitride crystals, BN, AlN and GaN by using a Na flux.

著者 (6件)： YANO M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OKAMOTO M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAP Y K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YOSHIMURA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SASAKI T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 9  号： 3/6  ページ： 512-515  発行年： 2000年04月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN,h-BN及びAlN等のバルク窒化物結晶を,Naフラッ...

シソーラス用語： 窒化ホウ素 ,...
準シソーラス用語： フラックス

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分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： Na ,  フラックス ,  窒化物結晶 ,  BN ,  AlN ,  GaN ,  成長