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J-GLOBAL ID：200902104413413674   整理番号：98A0807091

γ線照射による6H-SiC MOSトランジスタ中の界面トラップと酸化物トラップ電荷の生成

Generation of Interface Traps and Oxide-Trapped Charge in 6H-SiC Metal-Oxide-Semiconductor Transistors by Gamma-Ray Irradiation.

著者 (5件)： OHSHIMA T (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  YOSHIKAWA M (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  ITOH H (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  AOKI Y (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN) ,  NASHIYAMA I (Japan Atomic Energy Res. Inst., Gunma, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 37  号： 8B  ページ： L1002-L1004  発行年： 1998年08月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 6H-SiC上にMOSFETを作製し,デバイスの特性に及ぼす...

シソーラス用語： γ線照射 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• 1) W. E. Nelson, F. A. Halden and A. Rosengreen: J. Appl. Phys. 37 (1966) 333.
• 2) D. K. Ferry: Phys. Rev. B 12 (1975) 2361.
• 3) H. Daimon, M. Yamanaka, M. Shibahara, E. Sakuma, S. Misawa, K. Endo and S. Yoshida: Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 2106
• 4) M. Bhatnagar and B. J. Baliga: IEEE Trans. Electron Devices 40 (1993) 645.
• 5) H. Itoh, M. Yoshikawa, I. Nashiyama, S. Misawa, H. Okumura and S. Yoshida: IEEE Trans. Nucl. Sci. NS-37 (1990) 1732.

タイトルに関連する用語 (6件)： γ線 ,  6H-SiC ,  MOSトランジスタ ,  界面トラップ ,  酸化物 ,  トラップ電荷