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J-GLOBAL ID：200902104661422221   整理番号：99A0770128

GaN膜の成長の極性方向の共軸衝突イオン散乱分光法による分析

Analysis of the polar direction of GaN film growth by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy.

著者 (9件)： SUMIYA M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  TANAKA M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  OHTSUKA K (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  FUKE S (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  OHNISHI T (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  OHKUBO I (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  YOSHIMOTO M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KOINUMA H (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  KAWASAKI M (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 75  号： 5  ページ： 674-676  発行年： 1999年08月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化処理を施さないサファイアc面上の滑らかなGaN膜の極性を...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  成長 ,  極性 ,  衝突イオン散乱分光法 ,  分析