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J-GLOBAL ID：200902104734969275   整理番号：93A0304324

高速気相直接ドーピングによるシリコン中での極めて浅い接合の形成

Formation of ultra-shallow junctions in silicon by rapid vapor-phase direct doping(RVD).

著者 (3件)： KIYOTA Y (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  NAKAMURA T (Hitachi Ltd., Tokyo, JPN) ,  INADA T (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 11  ページ： 7-14  発行年： 1993年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速気相直接ドーピングと呼ぶ新しいドーピング法で浅いほう素ド...

シソーラス用語： ドーピング ,...

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分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 気相 ,  ドーピング ,  シリコン ,  浅い接合