SiCの青色発光ダイオード効率のp型層成長温度依存性

文献

J-GLOBAL ID：200902106774486970 整理番号：95A0459744

Dependence of SiC Blue Light-Emitting Diode Efficiency on the p-Type Layer Growth Temperature.

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資料名：
巻： 34 号： 4A ページ： 1833-1834 発行年： 1995年04月
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

LPE過程でp型層の成長温度がSiCの青色LED効率に及ぼす...

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発光素子 , 半導体薄膜 , 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合

引用文献 (4件)：

MATSUSHITA, Y. Ext. Abstr.52nd Autumn Meet. Japan Society of Applied Physics. 1991, 11a-SY20
MATSUSHITA, Y. Jpn. J. Appl. Phys. 1990, 29, L343
SUZUKI, A. J. Appl. Phys. 1976, 47, 4546
MATSUSHITA, Y. 11th Symp. Rec. Alloy Semiconductor Physics and Electronics. 1992, 133

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