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J-GLOBAL ID：200902107240870593   整理番号：93A0716508

ギガビット規模DRAMアレイ用高速,小面積,しきい値電圧不整合補償センス増幅器

A High-Speed, Small-Area, Threshold-Voltage-Mismatch Compensation Sense Amplifier for Gigabit-Scale DRAM Arrays.
著者 (7件)：
KAWAHARA T

KAWAHARA T について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
SAKATA T

SAKATA T について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
ITOH K

ITOH K について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
KAWAJIRI Y

KAWAJIRI Y について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
AKIBA T

AKIBA T について

(Hitachi Device Engineering Co. Ltd., Chiba, JPN)

Hitachi Device Engineering Co. Ltd., Chiba, JPN について

, 
KITSUKAWA G

KITSUKAWA G について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について

, 
AOKI M

AOKI M について

(Hitachi Ltd., Tokyo, JPN)

Hitachi Ltd., Tokyo, JPN について


資料名：
IEEE Journal of Solid-State Circuits  (IEEE Journal of Solid-State Circuits)

IEEE Journal of Solid-State Circuits について


巻： 28  号： 7  ページ： 816-823  発行年： 1993年07月 
JST資料番号： B0761A  ISSN： 0018-9200  CODEN： IJSCBC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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スレッショルド電圧(VT)不整合補償機...
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DRAM

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分類 (1件)：
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半導体集積回路 
(NC03162T)

半導体集積回路 について

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規模

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DRAMアレイ

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面積

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不整合

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補償

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センス増幅器

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