反応性スパッタリングによりSi上にイットリア含有量を制御してヘテロエピタキシャル成長させたイットリア安定化ジルコニア膜の材料特性

文献

J-GLOBAL ID：200902107726292400 整理番号：99A0190112

Material properties of heteroepitaxial yttria-stabilized zirconia films with controlled yttria contents on Si prepared by reactive sputtering.

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資料名：
巻： 51 号： 4 ページ： 609-613 発行年： 1998年12月
JST資料番号： E0347A ISSN： 0042-207X 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

(100)Si上に標記方法でY<sub>2</sub>O<s...

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酸化物薄膜 , 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造

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