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J-GLOBAL ID:200902107793504749   整理番号:99A0518459

大気圧下での化学蒸着による酸化亜鉛ホイスカのエピタキシャル成長

Epitaxial Growth of Zinc Oxide Whiskers by Chemical-Vapor Deposition under Atmospheric Pressure.
著者 (5件):
資料名:
巻: 38  号: 5B  ページ: L586-L589  発行年: 1999年05月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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標記の方法でZnOホイスカを550°Cの基板温度で成長させた。...
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 
引用文献 (5件):
  • 1) Z. K. Tang, P. Yu, G. K. L. Wong, M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma and Y. Segawa: Mol. Cryst. & Lig. Cryst. Sci. & Technol. B18 (1997) 355.
  • 2) M. Kawasaki, A. Ohtomo, H. Koinuma, Y. Sakurai, Z. K. Tang, P. Yu, G. L. K. Wong and Y. Segawa: Mater. Sci. Forum. 264-268 (1990) 1459.
  • 3) M. Kitano, T. Hamabe, S. Maeda and T. Okabe: J. Cryst. Growth 102 (1990) 956.
  • 4) H. Saitoh, H. Sunayama, N. Tanaka and S. Ohshio: J. Ceram. Soc. Jpn. 106 (1998) 1051.
  • 5) V. Srikant, V. Sergo and D. R. Clarke: J. Am. Ceram. Soc. 78 (1995) 1931.
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