GaAs(100)基板上に有機金属気相エピタクシーによって成長させたAlGaAs層の格子緩和

FUKE S; SANO K; KUWAHARA K; TAKANO Y; SATO M; IMAI T

文献

J-GLOBAL ID：200902108684829065 整理番号：95A0141548

GaAs(100)基板上に有機金属気相エピタクシーによって成長させたAlGaAs層の格子緩和

Lattice relaxation of AlGaAs layers grown on GaAs(100) substrate plane by organometallic vapor phase epitaxy.

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資料名：
巻： 77 号： 1 ページ： 420-422 発行年： 1995年01月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

基板格子常数を大量のInドーピングによって変えられることを利...

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半導体薄膜

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